[发明专利]非对称电极二维材料/石墨烯异质结级联光电探测器及其制备方法在审
申请号: | 201610255603.5 | 申请日: | 2016-04-15 |
公开(公告)号: | CN105789367A | 公开(公告)日: | 2016-07-20 |
发明(设计)人: | 杨志广;李志伟;武文;彭鹏;王筠;丁永杰 | 申请(专利权)人: | 周口师范学院 |
主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 466001 *** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明公开了一种非对称电极二维材料/石墨烯异质结级联光电探测器及其制备方法,该探测器包括Si/SiO2衬底,所述Si/SiO2衬底上设有第一电极,所述第一电极上设有二维材料层,所述二维材料层上设有第二电极,所述二维材料层为石墨烯与二维材料交叠形成n层异质结。本发明采用功函数不同的非对称电极,促进了由第一电极到第二电极费米能级差的形成,可以使光生载流子产生后迅速扩散至外电路,同时由于能级差的存在也避免了电子空穴的迅速复合,由此可以增大器件的光响应;采用石墨烯与二维材料相结合,分别利用了石墨烯的高的载流子迁移率、超快的响应时间,以及二维材料对光的高吸收率,可以实现超快,超高响应的光电探测器。 | ||
搜索关键词: | 对称 电极 二维 材料 石墨 烯异质结 级联 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
非对称电极二维材料/石墨烯异质结级联光电探测器,其特征在于,包括Si/SiO2衬底(1),所述Si/SiO2衬底(1)上设有第一电极(2),所述第一电极(2)上设有二维材料层(3),所述二维材料层(3)上设有第二电极(4),所述二维材料层(3)为石墨烯与二维材料交叠形成n层异质结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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