[发明专利]一种纳米晶氧化铝陶瓷的制备方法在审

专利信息
申请号: 201610255614.3 申请日: 2016-04-22
公开(公告)号: CN105948726A 公开(公告)日: 2016-09-21
发明(设计)人: 刘金铃;安立楠 申请(专利权)人: 西南交通大学
主分类号: C04B35/111 分类号: C04B35/111
代理公司: 成都信博专利代理有限责任公司 51200 代理人: 张澎
地址: 610031 四川省成都市*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种纳米晶氧化铝陶瓷的制备方法,在放电等离子烧结的条件下,采用微米氧化铝粉体作为原料,在放电等离子烧结炉中经过低温预烧和高温烧结两个步骤制备纳米晶氧化铝陶瓷。本发明方法借助放电等离子烧结炉存在脉冲直流电场的特殊条件,通过低温预烧过程实现微米晶的细化,高温烧结过程则可以保证细化后的晶粒烧结在一起。采用微米粉体作为原料可以大幅降低生产成本。本工艺还具有优化氧化铝陶瓷显微结构的良好效果,从而可以实现更优异的机械性能和热物理性能。
搜索关键词: 一种 纳米 氧化铝陶瓷 制备 方法
【主权项】:
一种纳米晶氧化铝陶瓷的制备方法,利用放电等离子烧结设备,首先通过脉冲直流电场的持续作用对微米氧化铝粉体在低温下进行预处理,然后加热至高温进行烧结的工艺;采用微米氧化铝粉体作为原料,在放电等离子烧结炉中经过低温预烧和高温烧结两个步骤就可以实现均匀超细晶或纳米晶氧化铝陶瓷的制备,从而获得更优异的机械性能和热物理性能,具体步骤包含:1)陶瓷粉体的预压:将粒度为1‑10μm氧化铝粉体倒入石墨模具中,在5‑20MPa压强下模压60s;2)陶瓷粉体的烧结:将模压好的试样置入放电等离子烧结炉中,以150℃/min的升温速率加热到700‑1000℃,并在此温度下保温5‑60min;保温结束后,继续以150℃/min的升温速率加热到1200‑1600℃,并在此温度下保温2‑60min;随后自然冷却到室温;烧结过程中,压力先预加载到5kN,低温预烧时再缓慢加压到30‑100MPa;加热方式为脉冲电流加热,循环脉冲过程设置为单个脉冲时间3‑5ms,连续脉冲12次后停歇6‑10ms,最终获得具有均匀超细晶或纳米晶的氧化铝陶瓷。
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