[发明专利]一种具有双高栅的4H-SiC金属半导体场效应晶体管有效
| 申请号： | 201610255961.6 | 申请日： | 2016-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN105932047B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 贾护军;马培苗;杨志辉;柴常春 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 61254 西安中科汇知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩冰 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有双高栅的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管，自下而上包括4H‐SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的两侧分别为源极帽层和漏极帽层，源极帽层和漏极帽层表面分别是源电极和漏电极，N型沟道层上方且靠近源极帽层的一侧形成栅电极，栅电极在N型沟道左侧、右侧、中间分别形成左沟道凹陷区、右沟道凹陷区、中间沟道凹陷区，所述沟道表面和栅电极之间形成左高栅区域和右高栅区域。本发明的优点体现在：漏极电流提高；击穿电压提高；频率特性改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 双高栅 sic 金属 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种具有双高栅的4H-SiC金属半导体场效应晶体管，其特征在于，自下而上包括4H‐SiC半绝缘衬底(1)、P型缓冲层(2)、N型沟道层(3)，N型沟道层(3)的两侧分别为源极帽层(4)和漏极帽层(5)，源极帽层(4)和漏极帽层(5)表面分别是源电极(6)和漏电极(7)，N型沟道层(3)上方且靠近源极帽层的一侧形成栅电极(10)，栅电极(10)在N型沟道(3)左侧、右侧、中间分别形成左沟道凹陷区(8)、右沟道凹陷区(9)、中间沟道凹陷区(11)，所述沟道表面和栅电极(10)之间形成左高栅区域(13)和右高栅区域(12)。/n
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