[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 201610256143.8 | 申请日： | 2016-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN106067505B | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 黄逸儒;庄东霖;兰彦廷;许圣宗;沈志铭;黄靖恩;赖腾宪;麦宏全;黄冠杰;丁绍滢;陈正彬;简玮辰;郑至钦;曾志宏 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台南市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一电极、第二电极、布拉格反射结构、导电层以及多个绝缘图案。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一电极电性连接第一型半导体层。第二电极电性连接第二型半导体层。第一电极与第二电极皆位于布拉格反射结构的相同一侧。导电层配置在布拉格反射结构与第二型半导体层之间。绝缘图案配置在导电层与第二型半导体层之间，且导电层在绝缘图案以外的面积接触第二型半导体层。本发明技术方案中，配置在布拉格反射结构上的膜层可良好地披覆在布拉格反射结构上，而有助于发光二极管的性能提升。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其特征在于，包括：一第一型半导体层；一发光层；一第二型半导体层，其中该发光层位于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间；一第一电极，电性连接该第一型半导体层；一第二电极，电性连接该第二型半导体层；以及一布拉格反射结构，该第一电极与该第二电极皆位于该布拉格反射结构的相同一侧；一导电层，配置在该布拉格反射结构与该第二型半导体层之间；以及多个绝缘图案，配置在该导电层与该第二型半导体层之间，且该导电层在该些绝缘图案以外的面积接触该第二型半导体层，其中各该绝缘图案具有面向该第二型半导体层的一第一表面、背向该第二型半导体层的一第二表面以及一斜面，该斜面连接于该第一表面与该第二表面之间且相对于该第一表面与该第二表面倾斜。
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