[发明专利]一种参考电压产生电路有效

专利信息
申请号: 201610256167.3 申请日: 2016-04-22
公开(公告)号: CN105700609B 公开(公告)日: 2017-12-29
发明(设计)人: 石寒夫;刘涛;徐代果;刘璐;王旭;邓民明;陈光炳;王育新;付东兵 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 代理人: 尹丽云
地址: 400060 *** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 发明提供一种参考电压产生电路,包括电平转换电路,包括第一电荷泵、第一差分运算放大器、第一NMOS晶体管、第一电阻、第二电阻及第三电阻,其中,第一差分运算放大器、第一电荷泵、第一NMOS晶体管及第一电阻构成第一单位增益结构;用于通过所述第一单位增益结构输出参考电压,并通过第一电阻、第二电阻及第三电阻以差分形式将所述参考电压输出到所述前级驱动电路;前级驱动电路,包括第二差分运算放大器和第三差分运算放大器、第二电荷泵和第三电荷泵、第二NMOS晶体管、第一PMOS晶体管以及第四电阻,其中,第二差分运算放大器、第二电荷泵、第二NMOS晶体管构成第二单位增益结构,第三差分运算放大器、第三电荷泵、第一PMOS晶体管构成第三单位增益结构;用于根据所述第二单位增益结构及第三单位增益结构对所述电平转换电路输出的参考电压进行驱动;如此,本发明实施例提供的参考电压产生电路具有更高的建立精度和更大的输出摆幅。
搜索关键词: 一种 参考 电压 产生 电路
【主权项】:
一种参考电压产生电路,其特征在于,所述电路包括:电平转换电路,包括第一电荷泵、第一差分运算放大器、第一NMOS晶体管、第一电阻、第二电阻及第三电阻,其中,第一差分运算放大器、第一电荷泵、第一NMOS晶体管及第一电阻构成第一单位增益结构;用于通过所述第一单位增益结构输出参考电压,并通过第一电阻、第二电阻及第三电阻以差分形式将所述参考电压输出到前级驱动电路;前级驱动电路,包括第二差分运算放大器和第三差分运算放大器、第二电荷泵和第三电荷泵、第二NMOS晶体管、第一PMOS晶体管以及第四电阻,其中,第二差分运算放大器、第二电荷泵、第二NMOS晶体管构成第二单位增益结构,第三差分运算放大器、第三电荷泵、第一PMOS晶体管构成第三单位增益结构;用于根据所述第二单位增益结构及第三单位增益结构对所述电平转换电路输出的参考电压进行驱动;在所述电平转换电路中,所述第一NMOS晶体管的漏极与电压源连接,所述第一NMOS晶体管的栅极与第一差分运算放大器的输出端连接,所述第一NMOS晶体管的源极与所述第一电阻的一端及所述前级驱动电路中所述第二差分运算放大器的正输入端连接;所述第一电阻的另一端与所述第一差分运算放大器的负输入端及所述第二电阻的一端连接;所述第二电阻的另一端与所述第三电阻及所述前级驱动电路中第三差分运算放大器的正输入端连接;所述第三电阻的另一端与接地点连接;所述第一差分运算放大器的正输入端与参考电压输入端连接,所述第一差分运算放大器的正电源端与第一电荷泵的输出端连接,所述第一差分运算放大器的负电源与接地点连接;所述第一电荷泵的输入端与外部时钟连接;在所述前级驱动电路中,所述第二NMOS晶体管的漏极与电压源连接,所述第二NMOS晶体管的栅极与所述第二差分运算放大器的输出端连接,所述第二NMOS晶体管的源极与第四电阻的一端及所述第二差分运算放大器的负输入端连接;所述第四电阻的另一端与所述第一PMOS晶体管的源极及所述第三差分运算放大器的负输入端连接;所述第一PMOS晶体管的漏极与接地点连接,所述第一PMOS晶体管的栅极与所述第三差分运算放大器的输出端连接;所述第二差分运算放大器的正输入端与所述电平转换电路中第一NMOS晶体管的源极及第一电阻的一端连接;所述第三差分运算放大器的正输入端连接所述电平转换电路中第二电阻和第三电阻相连的一端;所述第二差分运算放大器的正电源与所述第二电荷泵的输出端连接,所述第二差分运算放大器的负电源与接地点连接;所述第三差分运算放大器的负电源与所述第三电荷泵的输出端连接,所述第三差分运算放大器的正电源与电压源连接;所述第二电荷泵和所述第三电荷泵的输入端都与外部时钟连接。
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