[发明专利]具有注射器的膜形成装置和形成半导体器件的方法有效
申请号: | 201610256448.9 | 申请日: | 2016-04-22 |
公开(公告)号: | CN106340441B | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | 赵南振;金延泰;朴基寿;崔殷硕;韩奎熙 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;C23C16/44;C23C16/455;C23C16/54 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 翟然 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本公开提供了一种薄膜形成装置和形成半导体器件的方法。该薄膜形成装置包括注射器,该注射器包括:分配器,包括连接到第一进气口的第一分配部分以及连接到第二进气口的第二分配部分;以及引导件,连接到分配器,该引导件包括连接到第一分配部分的第一出口以及连接到第二分配部分的第二出口,其中第二出口设置在第一出口上方。 | ||
搜索关键词: | 具有 注射器 形成 装置 半导体器件 方法 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜形成装置,包括:注射器,所述注射器包括:主体,在第一方向上纵向延伸,所述主体包括第一进气口、在基本上垂直于所述第一方向的第二方向上设置在所述第一进气口上方的第二进气口、以及与所述第一进气口和所述第二进气口间隔开的气帘气进口;第一分配器,包括连接到所述第一进气口的第一分配部分以及连接到所述第二进气口的第二分配部分;第二分配器,挨着所述第一分配器,所述第二分配器包括连接到所述气帘气进口的气帘气分配部分;第一引导件,连接到所述第一分配器,所述第一引导件包括连接到所述第一分配部分的第一出口以及连接到所述第二分配部分的第二出口,所述第二出口在所述第二方向上设置在所述第一出口上方,其中所述第一出口暴露于腔室并且被配置为将载气直接提供到腔室中,所述第二出口暴露于腔室并且被配置为将反应气体直接提供到腔室中;以及第二引导件,连接到所述第二分配器,所述第二引导件包括连接到所述气帘气分配部分的气帘气出口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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