[发明专利]一种具有部分高掺杂沟道4H-SiC金半场效应管有效
| 申请号： | 201610256739.8 | 申请日： | 2016-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN105789282B | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 贾护军;杨志辉;马培苗;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙) 11368 | 代理人： | 郭官厚 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于场效应晶体管技术领域，特别是公开了一种具有部分高掺杂沟道4H‑SiC金半场效应管；旨在提供能够提高输出电流和器件跨导，改善频率特性的一种具有部分高掺杂沟道4H‑SiC金半场效应管；采用的技术方案为：自下而上设置有4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的两侧分别设置有源极帽层和漏极帽层，N型沟道层中部且靠近源极帽层的一侧设置有栅区域，栅区域在N型沟道两侧形成左侧沟道凹陷区和右侧沟道凹陷区，左侧沟道凹陷区和右侧沟道凹陷区的深度为0.05‑0.1μm，左侧沟道的宽度为0.5μm，右侧沟道的宽度为1μm，在左侧沟道凹陷区正下方区域为具有高掺杂浓度的沟道高掺杂区域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 部分 掺杂 沟道 sic 半场 效应 | ||
【主权项】：
1.一种具有部分高掺杂沟道4H‑SiC金半场效应管，其特征在于，自下而上设置有4H‑SiC半绝缘衬底(1)、P型缓冲层(2)、N型沟道层(3)，N型沟道层(3)的两侧分别设置有源极帽层(4)和漏极帽层(5)，所述源极帽层(4)和漏极帽层(5)的表面分别设置有源电极(6)和漏电极(7)，N型沟道层(3)中部且靠近源极帽层(4)的一侧设置有栅区域(10)，栅区域(10)在N型沟道层(3)两侧形成左侧沟道凹陷区(8)和右侧沟道凹陷区(9)，左侧沟道凹陷区(8)正下方区域为具有高掺杂浓度的沟道高掺杂区域(11)，所述左侧沟道凹陷区(8)和右侧沟道凹陷区(9)的深度为0.05μm，左侧沟道凹陷区(8)的宽度为0.5μm，右侧沟道凹陷区(9)的宽度为1μm，所述N型沟道区域内掺杂浓度为9×1017cm‑3至6×1018cm‑3区间。
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