[发明专利]一种AlGaN/GaN基场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201610257069.1 | 申请日： | 2016-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN105679822B | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 张春伟;曾勇;宦海祥;张红蕾 | 申请（专利权）人： | 盐城工学院 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/335;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 吴啸寰 |
| 地址： | 224000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶体管散热领域，特别涉及一种AlGaN/GaN基场效应晶体管及其制备方法。一种AlGaN/GaN基场效应晶体管，包括依次排布的SiC基底层、AlN层、GaN层和AlGaN层，AlGaN层上依次设置有热沉、漏极和源极，漏极与源极之间填充有二氧化硅层，漏极与源极之间的二氧化硅层上设置有栅极；热沉与漏极之间填充有二氧化硅层，热沉、漏极以及两者之间的二氧化硅层由二氧化钒层覆盖。本发明在晶体管的漏极和热沉之间设置二氧化钒层，二氧化钒层与漏极界面热传导通过电子‑电子之间的耦合开启电子输运通道，达到迅速降低场效应管温度目的，从而可以大大提高场效应晶体管的性能和寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 漏极 场效应晶体管 二氧化硅层 热沉 二氧化钒层 源极 晶体管 制备 填充 界面热传导 场效应管 电子输运 依次设置 耦合 散热 排布 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种AlGaN/GaN基场效应晶体管，其特征在于，包括依次排布的SiC基底层、AlN层、GaN层和AlGaN层，所述AlGaN层上沿水平方向依次设置有热沉、漏极和源极，所述漏极与所述源极之间填充有二氧化硅层，所述漏极与所述源极之间的二氧化硅层上设置有栅极；所述热沉与所述漏极之间填充有二氧化硅层，所述热沉、所述漏极以及两者之间的二氧化硅层由二氧化钒层覆盖。
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