[发明专利]使用热势理论模型化集成电路芯片上的局部温度变化有效

专利信息
申请号: 201610257167.5 申请日: 2016-04-22
公开(公告)号: CN106294922B 公开(公告)日: 2018-10-12
发明(设计)人: F·G·安德森;N·T·施密特 申请(专利权)人: 格罗方德半导体公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 英属开曼群*** 国省代码: 开曼群岛;KY
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及使用热势理论模型化集成电路芯片上的局部温度变化。考量芯片背面热移除不足的情况,模型化集成电路芯片上的装置由于自热及与其它(多个)装置的热耦合导致的温度变化。若要进行此模型化,必须使用测试集成电路(IC)芯片预先测定IC芯片上不同位置的虚热量对实际热量的比率。于测试期间,在测试IC芯片上的一个特定位置选择一个待作用为热源的测试装置,同时此测试IC芯片上其它位置的至少两个其它测试装置作用为温度传感器。对热源施加偏压,并且测定位于热源及传感器的温度变化。这些变化是用于计算待与此特定位置相关联的虚热量对实际热量比的值。
搜索关键词: 使用 理论 模型 集成电路 芯片 局部 温度 变化
【主权项】:
1.一种用于热模型化的方法,其包含以下步骤:在封装中提供测试集成电路芯片,该测试集成电路芯片包含:衬底,该衬底具有正面以及与该正面对立的背面;及位于该正面上不同位置的测试装置;于该衬底的该正面上的所述测试装置中选择一个测试装置作为热源,并且选择所述测试装置中的其它测试装置作为温度传感器,所述测试装置中的该一个测试装置位于特定位置;使用供应电压对该热源施加偏压,以便将该热源加热至高于标称温度;在该热源的该施加偏压期间,于该热源及所述温度传感器测定相对于该标称温度的温度变化;基于所述温度变化,测定位于与该衬底的该背面相离的点位的特定虚热量与位于该热源的实际热量之间的比率的值,其中,与该衬底的该背面相离的该点位与该衬底的该正面上的所述测试装置中的该一个测试装置的该特定位置垂直对准,并且其中,该衬底的该背面与该点位之间的距离相等于该衬底的该背面与该特定位置之间的距离;以及,在内存中储存该比率的值,该比率的值是与该特定位置相关联,并且是为了要可用于产生功能性集成电路芯片上的局部温度变化的热模型而储存。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格罗方德半导体公司,未经格罗方德半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610257167.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top