[发明专利]用于制造全息光学元件的方法

摘要

本发明涉及一种用于制造全息光学元件的方法，该方法通过以下步骤实现：提供记录堆栈，该记录堆栈包括在至少一个支承元件上层压的至少一个记录元件；在照射步骤中采用至少一个记录光束对所述记录堆栈的至少一部分进行照射，其中，在所述照射步骤期间，所述记录堆栈弯曲；提供针对所述记录堆栈的弯曲偏差阈值；以及调节至少一个第一处理参数，使得所述记录堆栈的期望最大弯曲偏差不超过所述弯曲偏差阈值，其中，所述至少一个第一处理参数在所述照射步骤期间影响所述记录堆栈的弯曲性能。

主权项

1.一种用于制造全息光学元件的方法，该方法包括以下步骤：提供记录堆栈，所述记录堆栈包括在至少一个支承元件上层压的至少一个记录元件；在照射步骤中利用至少一个记录光束对所述记录堆栈的至少一部分进行照射，在所述照射步骤期间，所述记录堆栈由于照射而弯曲；提供针对所述记录堆栈的弯曲偏差阈值；以及调节至少一个第一处理参数，使得所述记录堆栈的期望最大弯曲偏差ξ_max不超过所述弯曲偏差阈值，其中，所述至少一个第一处理参数在所述照射步骤期间影响所述记录堆栈的弯曲性能，其中，提供针对所述记录堆栈的弯曲偏差阈值的步骤包括以下步骤：提供至少一个第二处理参数，所述弯曲偏差阈值取决于所述至少一个第二处理参数；以及根据所述至少一个第二处理参数来确定针对所述记录堆栈的所述弯曲偏差阈值，其中，所述第二处理参数是倾斜角α、所述记录元件的光栅矢量K或者所述记录元件的光栅间距Λ，其中，所述第一处理参数是所述记录堆栈的横向尺寸与所述记录堆栈的厚度的比R_dim、所述记录堆栈的热膨胀系数CTE、记录元件面积相对于支承元件面积的填充因子、在固定记录剂量E下的曝光时间t_exp或者所述支承元件面积和所述曝光时间t_exp两者，并且其中，在所述照射步骤之前，如果固定装置被支承，则所述期望最大弯曲偏差ξ_max是通过基于式来计算期望最大弯曲偏差ξ_max而确定的，并且在所述照射步骤之前，如果所述固定装置被夹持，则所述期望最大弯曲偏差ξ_max是通过基于式ξ_max＝A·[|d_cla(ρ＝0)|·|CTE|·R²_dim·β(τ_exp)]来计算期望最大弯曲偏差ξ_max而确定的，其中，A是根据光敏记录层的厚度和通过聚合放热的绝热温度升高而计算得到的预定的比例因子并且A＝6/π²·(T_ad·d)，其中，d是所述光敏记录层的厚度并且T_ad是通过聚合放热的绝热温度升高，d_sup或d_cla是标准化径向坐标和所述记录堆栈的泊松比的两个函数，其中，并且d_cla(ρ)＝[(1‑ρ²)+2·ρ²·ln(ρ)]，ρ是标准化径向坐标，σ是所述记录堆栈的泊松比，CTE是所述记录堆栈的热膨胀系数，R_dim是所述记录堆栈的横向尺寸与所述记录堆栈的厚度的比，并且β(τ_exp)是取决于标准化曝光时间τ_exp的函数并且其中，