[发明专利]一种功率半导体器件内部接触热阻测量方法及测量夹具在审
| 申请号： | 201610258361.5 | 申请日： | 2016-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN105911447A | 公开（公告）日： | 2016-08-31 |
| 发明（设计）人： | 邓二平;张朋;赵志斌;黄永章 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院;国网浙江省电力公司;华北电力大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R1/04 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率半导体器件内部接触热阻测量方法及测量夹具，包括：绘制器件电学参数与结温的关系曲线；绘制器件壳表面与散热器间涂有液态金属时的瞬态热阻抗曲线；对瞬态热阻抗曲线进行数值运算得到器件的积分结构函数和微分结构函数；对照积分结构函数和微分结构函数，求取接触热阻值。测试夹具由三块水平方向基板和两根竖直方向立柱组成；在上基板和中基板间纵向对称设有绝缘板和散热基板；在中基板和下基板间依次安装有压力均布装置、传感器、压力维持板和压力施加装置；本发明提供的测量方法消除了因热电偶带来的测量误差，测量结果真实可靠，测量方法简便高效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 内部 接触 测量方法 测量 夹具 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件内部接触热阻测量方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤S1：绘制器件电学参数与结温的关系曲线；步骤S2：绘制器件壳表面与散热基板间涂敷有液态金属时的瞬态热阻抗曲线；步骤S3：绘制器件的积分结构函数和微分结构函数的图像；步骤S4：确定试件内部接触热阻值。
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