[发明专利]用于层状过渡金属硫属化合物层的组合物及形成层状过渡金属硫属化合物层的方法有效
申请号: | 201610258537.7 | 申请日: | 2016-04-22 |
公开(公告)号: | CN106065466B | 公开(公告)日: | 2020-03-06 |
发明(设计)人: | 金海龙;申铉振;朴晟准 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | C23C16/30 | 分类号: | C23C16/30 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 金拟粲 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
提供用于层状过渡金属硫属化合物层的组合物及形成层状过渡金属硫属化合物层的方法。所述组合物包括选自由式1表示的过渡金属前体和由式1d表示的过渡金属前体的至少一种,和由式2表示的硫属前体。其中,在式1中,M、R |
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搜索关键词: | 用于 层状 过渡 金属 化合物 组合 形成 方法 | ||
【主权项】:
用于层状过渡金属硫属化合物层的组合物,所述组合物包括i)选自由式1表示的过渡金属前体和由式1d表示的过渡金属前体的至少一种,和ii)由式2表示的硫属前体:[式1]Ma(R1)6‑b‑c(H)b(R2)c其中,在式1中,M为过渡金属,R1和R2各自独立地为氢原子;C1‑C10烷基;C2‑C10烯基;羰基(C=O);卤素基团;C6‑C10芳基;C5‑C10环烷基;C5‑C10环烯基;(C=O)R,其中R为氢原子或C1‑C10烷基;C1‑C10烷氧基;C1‑C10脒化物基团;C1‑C10脒基;C1‑C10烷基酰胺基;C1‑C10烷基酰亚胺基;‑N(R)(R'),其中R和R'各自独立地为C1‑C10烷基或氢原子;R(C=O)CN,其中R为氢原子或C1‑C10烷基;或C1‑C10β‑二酮基团,a为1或2,b为0‑3的整数,且c为0‑3的整数,且R1和R2不同时为氢原子,[式1d]M(R1)d其中,在式1d中,M为过渡金属,R1为氢原子;C1‑C10烷基;C2‑C10烯基;羰基(C=O);卤素基团;C6‑C10芳基;C5‑C10环烷基;C5‑C10环烯基;(C=O)R,其中R为氢原子或C1‑C10烷基;C1‑C10烷氧基;C1‑C10脒化物基团;C1‑C10脒基;C1‑C10烷基酰胺基;C1‑C10烷基酰亚胺基;‑N(R)(R'),其中R和R'各自独立地为C1‑C10烷基或氢原子;R(C=O)CN,其中R为氢原子或C1‑C10烷基;或C1‑C10β‑二酮基团,d为3或4,[式2]M'kX2其中,在式2中,M'为硫属元素,X各自独立地为氢原子;C1‑C10烷基;C2‑C10烯基;羰基(C=O);卤素基团;C6‑C10芳基;C5‑C10环烷基;C5‑C10环烯基;(C=O)R,其中R为氢原子或C1‑C10烷基;C1‑C10烷氧基;C1‑C10脒化物基团;C1‑C10脒基;C1‑C10烷基酰胺基;C1‑C10烷基酰亚胺基;‑N(R)(R'),其中R和R'各自独立地为C1‑C10烷基或氢原子;R(C=O)CN,其中R为氢原子或C1‑C10烷基;或C1‑C10β‑二酮基团,k为1或2,且全部的X不同时为氢原子。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的