[发明专利]一种半导体处理装置及处理基片的方法在审
| 申请号： | 201610258929.3 | 申请日： | 2016-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN107305832A | 公开（公告）日： | 2017-10-31 |
| 发明（设计）人： | 黄允文 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249 | 代理人： | 张静洁,徐雯琼 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体处理装置及处理基片的方法，所述装置包括由顶板及反应腔侧壁围成的密封的反应腔，所述顶板构成射频窗，加热薄膜，紧邻所述射频窗上表面设置，包括加热丝及包覆所述加热丝的绝缘材料层；所述加热薄膜上设置开口，一排气装置通过所述开口将所述加热薄膜与所述射频窗上表面间的气体排出。本发明利用射频窗上表面暴露于大气环境中，受大气压强的压力，通过将加热装置设置为加热薄膜，通过将加热薄膜平铺在射频窗上表面，并将二者之间抽真空使得加热薄膜在大气压强的作用下紧密贴合在射频窗的上表面。由于大气压强超过100kpa，可以保证加热薄膜牢固的贴合在射频窗上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体处理装置，其特征在于，所述装置包括：反应腔，包括由顶板及反应腔侧壁围成的密封的反应腔；基片支撑装置，其设置于所述反应腔内的所述射频窗下方；反应气体注入装置，其用于向所述反应腔内供应反应气体；加热薄膜，紧邻所述顶板上表面设置，包括加热丝及包覆所述加热丝的绝缘材料层；所述加热薄膜上设置开口，一排气装置通过所述开口将所述加热薄膜与所述顶板上表面间的气体排出，使所述加热薄膜在大气压强的作用下与所述顶板贴合在一起。
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