[发明专利]一种GaN基混合PIN肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201610259220.5 | 申请日： | 2016-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN105870205A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 陈琳;戴亚伟;张宇;李起鸣;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学;镓特半导体科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/36;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种GaN基混合PIN肖特基二极管及其制备方法。本发明的GaN基混合PIN肖特基二极管包括：GaN衬底；GaN外延层，形成于所述GaN衬底上；多个GaN结构层，形成于所述GaN外延层上；第一金属结构，形成于所述GaN结构层以及各GaN结构层之间的所述GaN外延层上，与所述GaN外延层之间形成肖特基接触。此外，还包括第二金属结构，位于所述GaN衬底的背面，与所述GaN衬底形成欧姆接触。本发明能够在不损失芯片面积情况下获得更高的反向击穿电压；同时，避免了由于位错问题导致的器件性能的退化，可以很好的应用于功率电子领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 混合 pin 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基混合PIN肖特基二极管，其特征在于，包括：GaN衬底，其具有第一导电类型和第一掺杂浓度；第一导电类型GaN外延层，其具有第二掺杂浓度，形成于所述GaN衬底上，其中，所述第二掺杂浓度小于所述第一掺杂浓度；多个第二导电类型GaN结构层，其以一定间隔形成于所述第一导电类型GaN外延层上；以及，第一金属结构，形成于所述第二导电类型GaN结构层以及各第二导电类型GaN结构层之间的所述第一导电类型GaN外延层上，与所述第一导电类型GaN外延层之间形成肖特基接触。
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