[发明专利]用于重金属监测的金纳米带三电极传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201610259349.6 | 申请日： | 2016-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN105954333A | 公开（公告）日： | 2016-09-21 |
| 发明（设计）人： | 王平;屠佳伟;孙启永;徐宁;孙斐;李志文;甘颖;胡琼文 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30;G01N27/26;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 邱启旺 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于重金属监测的金纳米带三电极传感器及其制备方法。本发明选用硅片或玻璃作为基底，采用MEMS技术将电极材料沉积在基底上，并通过光刻技术完成电极的制作，接着采用PECVD法沉积Si3N4绝缘层，再光刻出电极表面及焊盘，然后用高精度硅刀切割基底，在切面处暴露出纳米级的金工作电极；最后将电极与PCB板通过金线压焊在一起，并用环氧树脂密封，完成传感器的制作。本发明可用于溶液中阴阳离子浓度的定量检测，修饰后可对生物分子进行定性检测，可应用于环境监测、生物医学、工业废水废气等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 重金属 监测 纳米 电极 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于重金属监测的金纳米带三电极传感器，其特征在于，该传感器采用玻璃或上方附着SiO2氧化层的硅片作为基底，基底上方覆盖TiW粘附层，TiW粘附层上方具有金对电极、金工作电极和银参比电极；其中，银参比电极由金银两层构成，上层裸露部分为银；金工作电极的厚度在50‑100nm，其裸露在传感器端面的部分作为传感器的工作电极；除了焊盘和露出的电极，其他区域均覆盖Si3N4绝缘层。
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