[发明专利]一种基于FinFET混合逻辑的一位全加器有效

专利信息
申请号: 201610259437.6 申请日: 2016-04-22
公开(公告)号: CN105958998B 公开(公告)日: 2018-08-14
发明(设计)人: 胡建平;许仲池 申请(专利权)人: 宁波大学
主分类号: H03K19/20 分类号: H03K19/20
代理公司: 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 代理人: 方小惠
地址: 315211 浙*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种基于FinFET混合逻辑的一位全加器,包括求和输出电路和进位输出电路,求和输出电路包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFET管、第八FinFET管、第九FinFET管、第十FinFET管、第十一FinFET管、第十二FinFET管、第十三FinFET管和第十四FinFET管,进位输出电路包括第十五FinFET管、第十六FinFET管、第十七FinFET管、第十八FinFET管、第十九FinFET管、第二十FinFET管、第二十一FinFET管、第二十二FinFET管、第二十三FinFET管和第二十四FinFET管;优点是功耗和功耗延时积均较小。
搜索关键词: 一种 基于 finfet 混合 逻辑 一位 全加器
【主权项】:
1.一种基于FinFET混合逻辑的一位全加器,包括求和输出电路和进位输出电路,其特征在于所述的求和输出电路包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFET管、第八FinFET管、第九FinFET管、第十FinFET管、第十一FinFET管、第十二FinFET管、第十三FinFET管和第十四FinFET管,所述的第一FinFET管、所述的第二FinFET管、所述的第五FinFET管、所述的第七FinFET管、所述的第九FinFET管、所述的第十一FinFET管和所述的第十三FinFET管为P型FinFET管,所述的第三FinFET管、所述的第四FinFET管、所述的第六FinFET管、所述的第八FinFET管、所述的第十FinFET管、所述的第十二FinFET管和所述的第十四FinFET管为N型FinFET管,所述的第七FinFET管和所述的第八FinFET管的鳍的个数为2,所述的第一FinFET管、所述的第二FinFET管、所述的第三FinFET管、所述的第四FinFET管、所述的第五FinFET管、所述的第六FinFET管、所述的第九FinFET管、所述的第十FinFET管、所述的第十一FinFET管、所述的第十二FinFET管、所述的第十三FinFET管和所述的第十四FinFET管的鳍的个数为1;所述的进位输出电路包括第十五FinFET管、第十六FinFET管、第十七FinFET管、第十八FinFET管、第十九FinFET管、第二十FinFET管、第二十一FinFET管、第二十二FinFET管、第二十三FinFET管和第二十四FinFET管,所述的第十五FinFET管、所述的第十七FinFET管、所述的第十九FinFET管、所述的第二十一FinFET管和所述的第二十三FinFET管为P型FinFET管,所述的第十六FinFET管、所述的第十八FinFET管、所述的第二十FinFET管、所述的第二十二FinFET管和所述的第二十四FinFET管为N型FinFET管;所述的第十五FinFET管、所述的第十六FinFET管、所述的第十七FinFET管、所述的第十八FinFET管、所述的第十九FinFET管、所述的第二十FinFET管、所述的第二十一FinFET管、所述的第二十二FinFET管、所述的第二十三FinFET管和所述的第二十四FinFET管的鳍的个数为1;所述的第一FinFET管的源极、所述的第二FinFET管的前栅、所述的第二FinFET管的背栅、所述的第三FinFET管的源极、所述的第四FinFET管的前栅、所述的第四FinFET管的背栅、所述的第七FinFET管的前栅、所述的第八FinFET管的前栅、所述的第十五FinFET管的前栅、所述的第十六FinFET管的前栅、所述的第十七FinFET管的前栅和所述的第十八FinFET管的前栅连接且其连接端为所述的一位全加器的第一输入端,所述的一位全加器的第一输入端用于接入第一加数信号,所述的第一FinFET管的前栅、所述的第一FinFET管的背栅、所述的第二FinFET管的源极、所述的第三FinFET管的背栅、所述的第三FinFET管的前栅、所述的第四FinFET管的源极、所述的第七FinFET管的背栅、所述的第八FinFET管的背栅、所述的第十五FinFET管的背栅、所述的第十六FinFET管的背栅、所述的第十七FinFET管的背栅和所述的第十八FinFET管的背栅连接且其连接端为所述的一位全加器的第二输入端,所述的一位全加器的第二输入端用于接入第二加数信号,所述的第一FinFET管的漏极、所述的第二FinFET管的漏极、所述的第五FinFET管的前栅、所述的第五FinFET管的背栅、所述的第六FinFET管的漏极、所述的第八FinFET管的漏极、所述的第十一FinFET管的源极和所述的第十二FinFET管的源极连接,所述的第三FinFET管的漏极、所述的第四FinFET管的漏极、所述的第五FinFET管的漏极、所述的第六FinFET管的前栅、所述的第六FinFET管的背栅、所述的第七FinFET管的漏极、所述的第九FinFET管的源极和所述的第十FinFET管的源极连接,所述的第五FinFET管的源极、所述的第七FinFET管的源极、所述的第十三FinFET管的源极、所述的第十五FinFET管的源极、所述的第十七FinFET管的源极和所述的第二十三FinFET管的源极均接入电源,所述的第六FinFET管的源极、所述的第八FinFET管的源极、所述的第十四FinFET管的源极、所述的第十六FinFET管的源极、所述的第十八FinFET管的源极和所述的第二十四FinFET管的源极均接地,所述的第九FinFET管的前栅、所述的第九FinFET管的背栅、所述的第十二FinFET管的前栅、所述的第十二FinFET管的背栅、所述的第十九FinFET管的前栅、所述的第十九FinFET管的背栅、所述的第二十二FinFET管的背栅和所述的第二十二FinFET管的前栅连接且其连接端为所述的一位全加器的低位进位信号输入端,所述的一位全加器的低位进位信号输入端用于接入低位进位信号,所述的第十FinFET管的前栅、所述的第十FinFET管的背栅、所述的第十一FinFET管的前栅、所述的第十一FinFET管的背栅、所述的第二十FinFET管的前栅、所述的第二十FinFET管的背栅、所述的第二十一FinFET管的前栅和所述的第二十一FinFET管的背栅连接且其连接端为所述的一位全加器的低位进位信号反相输入端,所述的一位全加器的低位进位信号反相输入端用于接入低位进位信号的反相信号,所述的第九FinFET管的漏极、所述的第十FinFET管的漏极、所述的第十一FinFET管的漏极、所述的第十二FinFET管的漏极、所述的第十三FinFET管的前栅、所述的第十三FinFET管的背栅、所述的第十四FinFET管的前栅和所述的第十四FinFET管的背栅连接,所述的第十三FinFET管的漏极和所述的第十四FinFET管的漏极连接且其连接端为所述的一位全加器的和信号输出端,所述的第十五FinFET管的漏极、所述的第十六FinFET管的漏极、所述的第十九FinFET管的漏极和所述的第二十FinFET管的漏极连接,所述的第十七FinFET管的漏极、所述的第十八FinFET管的漏极、所述的第二十一FinFET管的漏极和所述的第二十二FinFET管的漏极连接,所述的第十九FinFET管的源极、所述的第二十FinFET管的源极、所述的第二十一FinFET管的源极、所述的第二十二FinFET管的源极、所述的第二十三FinFET管的前栅、所述的第二十三FinFET管的背栅、所述的第二十四FinFET管的前栅和所述的第二十四FinFET管的背栅连接,所述的第二十三FinFET管的漏极和所述的第二十四FinFET管的漏极连接且其连接端为所述的一位全加器的高位进位信号输出端,所述的一位全加器的高位进位信号输出端用于输出高位进位信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波大学,未经宁波大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610259437.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top