[发明专利]多个纳米棒二聚体阵列结构、其制造方法、激发其Fano共振的方法及包含其的光学传感器

摘要

本发明通过公开一种多个纳米棒二聚体阵列结构、其制造方法、激发其Fano共振的方法以及包含其的光学传感器。在该结构中，选用了合适的折射率、横向间隙、纵向间隙和长度，从而使得结构具有很好的Fano共振特性，并在电场偏振方向与纳米棒长轴方向平行的入射光垂直作用下，其Fano共振被强烈激发；使用该结构的光学传感器可以极大地提高灵敏度，对于提高光学传感器的性能具有重要的影响作用。

主权项

1.多个纳米棒二聚体阵列结构，其特征在于：包括基底，基底为玻璃材质，基底的折射率为1.5~1.9；在基底上设有多个纵向排列的纳米棒二聚体的阵列结构，该阵列由 3或4个完全相同的纳米棒二聚体纵向排列组成且纵向间隙相同，所述纳米棒二聚体为两个横向排列且之间预留有横向间隙的纳米棒，纳米棒的宽度和厚度均为60 nm，纳米棒的长度为135~270 nm，横向间隙为20 nm，相邻纳米棒二聚体之间预留有纵向间隙，纵向间隙为0~90 nm。