[发明专利]一种自调导热使温度均匀化的MOCVD大尺寸不等厚度石墨托盘在审
申请号: | 201610260714.5 | 申请日: | 2016-04-25 |
公开(公告)号: | CN105887048A | 公开(公告)日: | 2016-08-24 |
发明(设计)人: | 罗睿宏;梁智文;张国义 | 申请(专利权)人: | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C30B25/12 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 523518 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种自调导热使温度均匀化的MOCVD大尺寸不等厚度石墨托盘,所述石墨托盘,通过石墨托盘石墨材料本身的厚度变化,利用石墨材料导热性和热辐射气氛导热性的差异,自行调节其导热效率:即,原温较低区所对应的石墨托盘的下部区,加大其石墨材料厚度、相应减小热辐射气氛导热路程权重,以提高导热效率、升高该区温度;而原温较高区所对应的石墨托盘的下部区,减小其石墨材料厚度、相应增大热辐射气氛导热路程权重,以减弱导热效率、降低该区温度;以此,实现对石墨托盘样品槽表面温度的均匀化,以适应MOCVD设备对大尺寸衬底外延生长之温度均匀性要求,并能增加工艺窗口,利于规模化生产及稳定性,经济效益较好。 | ||
搜索关键词: | 一种 自调 导热 温度 均匀 mocvd 尺寸 不等 厚度 石墨 托盘 | ||
【主权项】:
一种自调导热使温度均匀化的MOCVD大尺寸不等厚度石墨托盘,其特征在于,包括石墨托盘下部的石墨材料不等厚度区和石墨托盘上部的样品槽表面平整区;所述石墨托盘下部的石墨材料不等厚度区,与样品槽的原温不同区所对应的石墨托盘下部的石墨材料厚度是不等的,即,原温较低区所对应的石墨托盘下部的石墨材料其厚度较厚,而原温较高区所对应的石墨托盘下部的石墨材料其厚度较薄。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的