[发明专利]局部背场N型光伏电池的制备方法及其电池和组件、系统

摘要

本发明涉及一种局部背场N型光伏电池的制备方法及其电池和组件、系统。本发明的一种局部背场N型光伏电池的制备方法，包括以下步骤：在N型晶体硅基体的背表面设置掩膜夹具，掩膜夹具具有背面副栅图案形状的开口，在开口处注入磷并进行退火处理，形成局部n+掺杂区域；然后在N型晶体硅基体的背表面使用金属浆料印刷背面电极，背面电极的背面副栅与局部n+掺杂区域连接；在N型晶体硅基体的正表面使用金属丝制备与p+掺杂区域欧姆接触的正面电极。其有益效果是：由于背面副栅仅和局部n+掺杂区域接触，所以接触电阻低；其他区域为不掺杂，所以俄歇复合低；通过设置金属丝来形成正面副栅，极大的减少电池的银浆消耗，从而降低电池片的制作成本。

主权项

一种局部背场N型光伏电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)、对N型晶体硅基体的正表面进行掺杂处理，形成p+掺杂区域；(2)、在N型晶体硅基体的背表面设置掩膜夹具，所述掩膜夹具具有背面副栅图案形状的开口，在N型晶体硅基体的背表面注入磷并进行退火处理，形成局部n+掺杂区域；(3)、在N型晶体硅基体的正表面制备钝化减反膜并在背表面制备钝化膜，然后在N型晶体硅基体的背表面使用金属浆料印刷背面电极，背面电极的背面副栅与局部n+掺杂区域连接；在N型晶体硅基体的正表面使用金属丝制备与p+掺杂区域欧姆接触的正面电极，烧结后完成局部背场N型太阳能电池的制备。