[发明专利]碳化硼基复相陶瓷及其放电等离子烧结制备方法在审
| 申请号： | 201610261949.6 | 申请日： | 2016-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN105924176A | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 李云凯;程兴旺;侯桂芹;孙川;杭晓聪 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/563 | 分类号： | C04B35/563;C04B35/64 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 周蜜;仇蕾安 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硼基复相陶瓷及其放电等离子烧结制备方法，属于复相陶瓷材料制备领域。所述复相陶瓷原料组成及质量百分数如下：铝15～25％，氧化硼20～35％，石墨1.7～3％，碳化硼40％～62％。所述方法如下：将原料进行球磨混合、干燥和过筛，制成混合粉体；采用放电等离子体烧结技术，将混合粉体放入石墨模具，在真空下从室温开始加热、加压，加压至35～45MPa，保持压力至烧结结束，以100℃/min升温至1600～1850℃烧结，保温5～30min；烧结结束，脱模，得到所述复相陶瓷。所述复相陶瓷制备成本较低、致密度高，力学性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化 硼基复相 陶瓷 及其 放电 等离子 烧结 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硼基复相陶瓷，其特征在于：以所述复相陶瓷原料的总体质量为100％计，各组成成分及其质量百分含量如下：![]()
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