[发明专利]一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构

摘要

本发明提供了一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构，包括上端盖、下端盖和发射极金属电极；上端盖和下端盖均为凹形盖，上端盖和下端盖的两侧壁通过外框架弹簧连接形成一个长方体框架；发射极金属电极设置在长方体框架内，其包括圆盘形金属电极，及相对该圆盘形金属电极的中心轴对称分布的多个凸台，凸台上放置IGBT模块；圆盘形金属电极布置在下端盖上，其上面和侧面分别设置有一个栅极PCB板和一个辅助栅极/发射极端子。与现有技术相比，本发明提供的一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构，可以在主回路参数一致的条件下，测量多个并联的IGBT芯片的开关波形，从而综合评价芯片的动静态参数是否一致。

主权项

一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构，其特征在于，所述IGBT芯片筛选结构包括上端盖(1)、下端盖(4)和发射极金属电极(5)；所述上端盖(1)和下端盖(4)均为凹形盖，所述上端盖(1)和下端盖(4)的两侧壁通过外框架弹簧(3)连接形成一个长方体框架；所述上端盖(1)和下端盖(4)的侧壁均设置有定位孔，二者通过定位销(2)固定；所述发射极金属电极(5)设置在所述长方体框架内，其包括圆盘形金属电极(51)，及相对该圆盘形金属电极(51)的中心轴对称分布的多个凸台(52)，所述凸台(52)上放置IGBT模块；所述圆盘形金属电极(51)布置在所述下端盖(4)上，其上面和侧面分别设置有一个栅极PCB板(55)和一个辅助栅极/发射极端子(54)，该辅助栅极/发射极端子(54)用于连接IGBT芯片驱动板的负极。