[发明专利]电子设备及其制造方法有效
| 申请号： | 201610262782.5 | 申请日： | 2016-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN106935610B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 金治皓;朴基善 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22;H01L43/02;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 王建国;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种包括半导体存储器的电子设备。半导体存储器可以包括：形成在衬底之上并具有接触孔的层间电介质层；形成在接触孔的下部内的接触插塞；形成在接触孔的上部内的接触焊盘；插置在接触插塞与接触焊盘之间的非晶缓冲层；以及形成在接触焊盘之上的可变电阻元件。 | ||
| 搜索关键词： | 电子设备 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种包括半导体存储器的电子设备，其中，半导体存储器包括：层间电介质层，其形成在衬底之上并且具有接触孔；接触插塞，其形成在接触孔的下部内；接触焊盘，其形成在接触孔的上部内；非晶缓冲层，其插置在接触插塞与接触焊盘之间；以及可变电阻元件，其形成在接触焊盘之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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