[发明专利]一种逆导型IGBT背面结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201610262790.X | 申请日： | 2016-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN107305909A | 公开（公告）日： | 2017-10-31 |
| 发明（设计）人： | 李晓平;潘艳;温家良;金锐;刘江;赵哿;高明超;王耀华;李立 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院;国家电网公司;国网上海市电力公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种逆导型IGBT背面结构及其制备方法。本发明通过在缓冲层和集电极之间增加低浓度掺杂的半导体层形成高阻区，此结构可有效抑制逆导型IGBT器件的电压回跳现象，同时减小集电极PN结的内建电势，提高集电极的注入效率，减小IGBT工作模式下的导通压降，降低逆导型IGBT器件正向导通损耗，显著的降低功耗。本发明提供的技术方案能实现生产线上连续生产，操作简单，实用性强，生产成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逆导型 igbt 背面 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种逆导型IGBT背面结构，包括依次设置的基层、缓冲层、集电区、集电极金属层，其特征在于，在所述缓冲层与集电极金属层之间设置有低浓度掺杂的半导体构成的高阻区。
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