[发明专利]金纳米井阵列电极及其制备方法有效
| 申请号： | 201610263223.6 | 申请日： | 2016-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN105929002B | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 曹立新;梁晨希;李小龙;刘海萍;毕四富 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学（威海） |
| 主分类号： | G01N27/327 | 分类号： | G01N27/327 |
| 代理公司： | 威海科星专利事务所 37202 | 代理人： | 王元生 |
| 地址： | 264200 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种金纳米井阵列电极及其制备方法，其包括有金纳米管阵列主体、金纳米柱阵列底片、集电体，所述金纳米管阵列主体是在模孔直径为400‑800nm的聚碳酸酯滤膜上化学沉积金制成的，金纳米管的壁厚为50‑200nm；金纳米柱阵列底片是在模孔直径为80‑200nm的聚碳酸酯滤膜上化学沉积金制成的；金纳米柱阵列底片通过导电胶粘结固定在集电体上，金纳米管阵列主体平铺覆盖在金纳米柱阵列底片上，周边用绝缘胶带密封固定在集电体上，得到金纳米井阵列电极。本发明组成结构简单、合理，连接可靠、稳定，具有三维结构，表面积大，能够实现检测体系的微型化和集成化，有效避免不同材质导致的电化学响应信号的干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 金纳米管 金纳米柱 底片 阵列主体 集电体 井阵列 电极 聚碳酸酯滤膜 化学沉积 模孔 制备 微型化 电化学响应 绝缘胶带 密封固定 三维结构 粘结固定 组成结构 导电胶 集成化 壁厚 平铺 检测 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种金纳米井阵列电极，其包括有金纳米管阵列主体、金纳米柱阵列底片、集电体，其特征在于：所述金纳米管阵列主体是在模孔直径为400‑800nm的聚碳酸酯滤膜上化学沉积金制成的，其中模孔中沉积有金纳米管，金纳米管的壁厚为50‑200nm；所述金纳米柱阵列底片是在模孔直径为80‑200nm的聚碳酸酯滤膜上化学沉积金制成的，其中模孔中沉积有实心的金纳米柱，滤膜上下表面为镀金膜；所述金纳米柱阵列底片通过导电胶粘结固定在集电体上，金纳米管阵列主体平铺覆盖在金纳米柱阵列底片上，周边用绝缘胶带密封固定在集电体上，得到金纳米井阵列电极。
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