[发明专利]一种黄曲霉毒素B1金纳米井阵列免疫电极的制备方法

摘要

本发明涉及一种黄曲霉毒素B1金纳米井阵列免疫电极的制备方法，其采用化学沉积法在模孔直径为400‑800nm的聚碳酸酯滤膜上沉积金，得到金纳米管阵列主体，在模孔直径为80‑200nm的聚碳酸酯滤膜上沉积金，得到金纳米柱阵列底片，组装制成金纳米井阵列电极；在金纳米管阵列电极表面滴加蛋白A溶液形成蛋白A/金纳米井阵列电极；而后放入无标记AFB1抗体溶液中，制成AFB1抗体/蛋白A/金纳米井阵列电极；进而封闭得到AFB1免疫反应电极。本发明制作简单，具有三维结构，表面积大，有效避免不同材质导致的电化学响应信号的干扰；抗体固定牢固有效，性能稳定可靠，可实现AFB1的灵敏快速测定。

主权项

一种黄曲霉毒素B1金纳米井阵列免疫电极的制备方法，其特征在于：其包括以下步骤：（1）金纳米管阵列主体的制备：首先采用化学沉积法在模孔直径为400‑800nm的聚碳酸酯滤膜模板上沉积金，模孔中沉积有金纳米管，通过控制沉积时间，使模孔中沉积金纳米管的壁厚为50‑200nm；而后去除该聚碳酸酯滤膜上表面的镀金层，得到金纳米管阵列主体；（2）金纳米柱阵列底片的制备：采用化学沉积法在模孔直径为80‑200nm的聚碳酸酯滤膜模板上沉积金，通过控制沉积时间，使模孔中充满实心的金纳米柱，得到金纳米柱阵列底片；（3）金纳米井阵列电极的组装：而后将得到的金纳米柱阵列底片下表面通过导电胶粘结固定在集电体上，金纳米管阵列主体平铺覆盖在金纳米柱阵列底片上，周边用绝缘胶带密封固定在集电体上，制成金纳米井阵列电极；（4）定向蛋白A自组装修饰金纳米井阵列电极的制备：在金纳米管阵列电极表面滴加50μL 0.2mg/mL的蛋白A溶液，恒温25‑30 ℃，反应时间为50‑60min，得到蛋白A/金纳米井阵列电极；（5）抗体的固定：将步骤（4）得到的蛋白A/金纳米井阵列电极放入1.2 mg/mL的无标记AFB1抗体溶液中，恒温25‑30 ℃，反应时间为50‑60min，制成AFB1抗体/蛋白A/金纳米井阵列电极；（6）封闭：将步骤（5）得到的电极浸入到3% 小牛血清溶液中，封闭非活性位点，恒温25‑30 ℃，时间为50‑60min，得到AFB1免疫反应电极。