[发明专利]一种可扩展型无源寻址LED微显示器件

摘要

本发明公开了一种可扩展型无源寻址LED微显示器件的结构和制备技术方案，所述的LED微显示器件包括LED微型像素阵列和无源寻址型硅基驱动基板。在LED阵列中实现行LED像素点的n电极互连，在硅基基板上实现列LED像素点的P电极互连。然后通过倒装焊接的方式实现LED阵列和硅基基板的键合。另外，通过在LED像素点的透明电极上涂覆全波段可见光二次辐射材料，使用红绿蓝对位分布式像素点滤色片覆盖，或使用单色二次辐射材料对位分布式涂覆；通过行列扫描寻址供电微LED像素点，获得蓝紫光辐射，激发二次辐射材料，获得全波段可见光，通过滤色片获得三原色，或者通过直接激发单色二次辐射材料获得，从而达到微显示的目的。这种方法制备出的微显示器件能够达到微型、低压低电流驱动、彩色显示、寿命长等优点。

主权项

1.一种可扩展型无源寻址LED微显示器件，包括LED微像素阵列和无源寻址型硅基驱动基板，所述LED微像素阵列和无源寻址型硅基驱动基板通过倒装焊接的方式实现键合，其特征在于，所述LED微像素阵列中，同一行的LED微像素阵列的n电极连接到同一条总线上，总线连接到两端的公用电极，行与行之间通过深沟道隔离开，所有p电极相互独立，并在LED微像素阵列上表面制作p欧姆接触电极和金属焊垫；所述的无源寻址型硅基驱动基板包括列互连的金属电极，并在与LED微像素阵列对应的地方制备金属凸焊点；所述的LED微像素阵列依次为蓝宝石衬底、缓冲层、n‑GaN层、GaN基多量子阱层、p‑GaN层，透明电极层和SiO2钝化层，在LED微像素阵列的SiO2钝化层上开窗口并制备金属焊垫，并在LED微像素阵列的p电极和n电极区域沉积Cr/Pd/Au作为欧姆接触电极；所述的LED微像素阵列是通过LED外延片制备，所述LED微像素阵列是可以作为一个模块进行扩展。