[发明专利]一种钝化接触N型晶体硅电池及制备方法和组件、系统

摘要

本发明涉及一种钝化接触N型晶体硅电池及制备方法和组件、系统。本发明的一种钝化接触N型晶体硅电池的制备方法，包括以下步骤在N型晶体硅基体正表面形成p+掺杂区域；在N型晶体硅基体背表面制备隧穿氧化层，然后在隧穿氧化层上制备含磷多晶硅层并退火；制备钝化减反膜和钝化膜；最后制备背面银电极和包括金属丝的正面电极。其有益效果是隧穿氧化层及n+掺杂多晶硅层可以给硅基体提供优良的表面钝化及场钝化，背面银电极没有破坏硅基体表面的钝化层，载流子可选择性的穿过隧穿氧化层被金属电极收集，因此具有较高的开路电压、短路电流和转换效率，设置金属丝形成正面电极，可减少电池的银浆消耗，从而降低电池片的制作成本。

主权项

一种钝化接触N型晶体硅电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)、对N型晶体硅基体的正表面进行掺杂处理，形成p+掺杂区域；(2)、在N型晶体硅基体的背表面制备隧穿氧化层，在隧穿氧化层上制备含磷多晶硅层，然后进行退火处理；(3)、在N型晶体硅基体的正表面制备钝化减反膜并在背表面制备钝化膜，在N型晶体硅基体的背表面印刷金属浆料形成背面电极；在N型晶体硅基体的正表面使用掺铝银浆印刷分段副栅，然后进行烧结处理；在烧结后的N型晶体硅基体的分段副栅上印刷热敏导电层；然后在热敏导电层上铺设镀有热敏导电材料的金属丝，将铺设好镀有热敏导电材料的金属丝的N型晶体硅基体进行加热，使得镀有热敏导电材料的金属丝、热敏导电层、p+掺杂区域和分段副栅四者之间形成欧姆接触。