[发明专利]钴掺杂硫化钨纳米片、其制备方法及电化学析氢的用途有效
| 申请号： | 201610266686.8 | 申请日： | 2016-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN105948126B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 何军;陶非克·艾哈迈德·希法;程中州 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | C01G41/00 | 分类号： | C01G41/00;C01G51/00;B82Y30/00;C25B1/04;C25B11/06 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 巩克栋,侯潇潇 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种化学气相沉积方法制备钴掺杂硫化钨纳米片的方法，及该钴掺杂硫化钨纳米片在电化学析氢的用途，属于无机半导体纳米材料技术领域。本发明以硫化钨纳米片和氧化钴纳米线为原料，通过化学气相沉积(CVD)方法制备钴掺杂硫化钨纳米片。本发明所合成的CoxW(1‑x)S2纳米片具有化学性稳定、结晶性好和高电化学活性面积等优点；同时本发明的制备工艺简单，操作方便、成本低廉；本发明的钴掺杂硫化钨纳米片电化学析氢性能良好、稳定性好，可用于电解水制氢相关领域。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 硫化 纳米 制备 方法 电化学 用途 | ||
【主权项】：
一种钴掺杂硫化钨纳米片的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：以硫化钨纳米片和氧化钴纳米线为原料，通过化学气相沉积方法，制备钴掺杂硫化钨纳米片。
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