[发明专利]一种双靶直流共溅射制备铜铟镓硒吸收层的方法

摘要

本发明属于一种双靶直流共溅射制备铜铟镓硒吸收层的方法，包括以下步骤①提供基底，共溅射CuGa合金靶和In靶，制备铜铟镓预制层，共溅射的工艺条件为本底真空为4~5×10‑4Pa，工作压强0.5~0.6 Pa，In靶的溅射功率为80 W，CuGa合金靶的溅射功率为25 W，溅射时间35~40 min；②将铜铟镓预制层放入快速退火炉中，20~25s内升温至545~550℃，545~550℃下硒化30~35 min，自然冷却至室温，即可得到铜铟镓硒吸收层。该发明将所制备的CIG预制层在特定的真空条件下进行快速退火硒化处理，即可得到电池级的、高质量的CIGS吸收层薄膜。

主权项

一种双靶直流共溅射制备铜铟镓硒吸收层的方法，其特征在于，包括以下步骤：①提供基底，共溅射CuGa合金靶和In靶，所述CuGa合金靶的原子数比为Cu:Ga=4:1，制备铜铟镓预制层，共溅射的工艺条件为：本底真空为4~5×10‑4Pa，工作压强0 .5~0 .6 Pa，In靶的溅射功率为80 W，CuGa合金靶的溅射功率为25 W，溅射时间35~40 min；②将铜铟镓预制层放入快速退火炉中，20~25s内升温至545~550℃，545~550℃下硒化30~35 min，自然冷却至室温，即可得到铜铟镓硒吸收层。