[发明专利]光扩散粉、光扩散粉的制备方法、量子点光刻胶及量子点彩膜有效
| 申请号： | 201610266767.8 | 申请日： | 2016-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN105694042B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 周婷婷;张斌;齐永莲;谢蒂旎;蒋勇 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C08G77/18 | 分类号： | C08G77/18;G03F7/004;G03F7/033;G03F7/038 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于显示技术领域，尤其涉及光扩散粉其制备方法、量子点光刻胶及量子点彩膜。本发明的光扩散粉制备方法为：烷氧基硅烷在酸性条件或碱性条件下进行共水解缩合反应，得到光扩散粉。本发明还公开了由所述光扩散粉制成的量子点光刻胶及量子点彩膜。所述光扩散粉具有有机链段结构和无机结构，与量子点光刻胶体系中的各种组分相容性较好，具有较好的分散效果，增加了光刻胶的均匀性。由该量子点光刻胶制成的量子点彩膜膜质均匀，光利用率高。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散 制备 方法 量子 光刻 点彩膜 | ||
【主权项】：
一种光扩散粉的制备方法，包括以下步骤：烷氧基硅烷在酸性条件或碱性条件下进行共水解缩合反应，得到光扩散粉；所述烷氧基硅烷具有式I结构：![]()
其中R1为C1～C50烷基；R’为烷基或取代烷基。
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