[发明专利]一种基于BNT单晶纳米线的介电复合材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201610268357.7 | 申请日： | 2016-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN105860376B | 公开（公告）日： | 2017-07-25 |
| 发明（设计）人： | 张斗;周学凡;罗行;吴忠;周科朝 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C08L27/16 | 分类号： | C08L27/16;C08K9/04;C08K7/08;C01G23/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所43114 | 代理人： | 刘擎天 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于BNT单晶纳米线的介电复合材料及其制备方法，通过水热法制备得到长径比为20‑50的BNT单晶纳米线材料，将其用多巴胺进行化学修饰后再与偏氟乙烯‑六氟丙烯共聚物复合，得到介电复合材料。该介电复合材料实现了在低陶瓷相含量的条件下，获得高达458kV/mm的抗击穿电场，比纯聚合物P(VDF‑HFP)抗击穿电场398kV/mm更高，实现了12.7J/cm3的高能量密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 bnt 纳米 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于BNT单晶纳米线的介电复合材料的制备方法，其特征在于，通过水热法制备得到长径比为20‑50的BNT单晶纳米线材料，将其用多巴胺进行化学修饰后再与偏氟乙烯‑六氟丙烯共聚物复合，得到介电复合材料。
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