[发明专利]一种硫华菊的矮化栽培方法有效
申请号: | 201610268641.4 | 申请日: | 2016-04-26 |
公开(公告)号: | CN105917908B | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
发明(设计)人: | 王振宇;田飞;张楚涵;谢志远;张清 | 申请(专利权)人: | 天津泰达绿化集团有限公司 |
主分类号: | A01G22/60 | 分类号: | A01G22/60 |
代理公司: | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人: | 张会雪 |
地址: | 300457 天津市*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明涉及一种硫华菊的矮化栽培方法,该方法包括播种、苗期管理、整地、定植、养护管理;本发明方法可降低硫华菊的垂直高度、增加开花量,提升硫华菊作为园林植物栽植的景观效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 硫华菊 矮化 栽培 方法 | ||
【主权项】:
1.一种硫华菊的矮化栽培方法,其特征在于:包括播种、苗期管理、整地、定植、养护管理;所述播种步骤为:将硫华菊种子浸泡在浓度为0.5%的高锰酸钾溶液中进行消毒灭菌,浸泡时长1‑2小时,将消毒处理好的种子播种在穴盘上,基质采用松散的腐殖土,每穴播种2粒种子,播种后浇透水,并用塑料薄膜进行覆盖,每2天揭开塑料薄膜喷水一次,保持基质湿润,保持育苗室温度在18‑22℃,待种子发芽后将塑料薄膜揭开;所述苗期管理包括以下步骤:幼苗子叶展开后,将穴盘移至明亮地方接受光照,保证每天2‑3小时阳光照射,但不宜接受阳光直射,同时减少喷水次数至每3天浇水一次,出苗2天后除去弱苗,每穴保留一株;所述整地包括以下步骤:在需要栽植硫华菊的地块进行翻挖松土,翻挖深度为20‑30cm,疏松土壤、细碎土块,去除大块杂物,对于轻壤、中壤按照1kg/m2掺拌草炭土,对于土壤为质地粘重的重壤,除掺拌1kg/m2草炭土外,还需要按照质量比原土:河砂=1:1掺拌河砂,将掺拌物与原土混合均匀后对土地进行平整;所述定植包括以下步骤:在幼苗出现5‑7片真叶时对幼苗进行摘心并移栽,在平整好的地块按照株行距50cm×50cm进行挖穴,穴深10cm左右,穴径10‑15cm,每穴栽植一株;栽植完成后立即浇透水;所述养护管理包括以下步骤:2‑4天浇水一次,每次浇水浇透;在植株垂直高度到达20‑30cm时,对植株进行二次摘心,3天后喷施多效唑,喷施浓度400mg/L,用量0.15‑0.25kg/m2,花蕾期追肥一次,叶面喷施质量浓度1%的磷酸二氢钾溶液,按照0.3‑0.5kg/m2的量进行喷施。
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