[发明专利]处理被处理体的方法

摘要

本发明提供一种处理被处理体的方法，该方法包括：第一步骤，向收纳有被处理体的处理容器内供给包含含硅气体的第一气体；在执行第一步骤之后，在处理容器内生成稀有气体的等离子体的第二步骤；在执行第二步骤之后，在处理容器内生成含有氧气的第二气体的等离子体的第三步骤；和在执行第三步骤之后，在处理容器内生成稀有气体的等离子体的第四步骤。该方法反复执行包括所述第一～第四步骤的流程，由此形成硅氧化膜。另外，在该方法中，在第二步骤、第三步骤和第四步骤的至少任一者中，对电容耦合型的等离子体处理装置的上部电极施加负的直流电压。

主权项

1.一种使用电容耦合型的等离子体处理装置对被处理体进行处理的方法，所述方法的特征在于：所述被处理体具有掩模，所述等离子体处理装置包括：提供处理空间的处理容器；用于在其上载置所述被处理体的载置台，该载置台包括下部电极；和包括硅制的顶板的上部电极，该上部电极隔着该处理容器内的处理空间与所述载置台相对，所述方法包括：第一步骤，向收纳有所述被处理体的所述处理容器内供给包含含硅气体的第一气体；在执行所述第一步骤之后，在所述处理容器内生成稀有气体的等离子体的第二步骤；在执行所述第二步骤之后，在所述处理容器内生成含有氧气的第二气体的等离子体的第三步骤；和在执行所述第三步骤之后，在所述处理容器内生成稀有气体的等离子体的第四步骤，反复执行包括所述第一步骤、所述第二步骤、所述第三步骤和所述第四步骤的流程，由此形成硅氧化膜，在所述第二步骤、所述第三步骤和所述第四步骤的至少任一者中，对所述上部电极施加负的直流电压。