[发明专利]高压JFET器件及工艺方法在审
| 申请号： | 201610268941.2 | 申请日： | 2016-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN105957899A | 公开（公告）日： | 2016-09-21 |
| 发明（设计）人： | 段文婷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L29/06;H01L21/337 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压JFET器件，在P型衬底中具有N型深阱，在剖视角度上,N型深阱之上为场氧，场氧两端分别为JFET的源区和漏区，场氧之上覆盖多晶硅场板；N型深阱中还具有P阱及P型注入层；所述N型深阱分为第一N型深阱及第二N型深阱两段，第一N型深阱中包含有JFET的源区、P型注入层及P阱，第二N型深阱中包含有JFET的漏区以及P型注入层；第一N型深阱和第二N型深阱之间相互独立，之间隔离2～10μm。本发明还公开了所述高压JFET器件的工艺方法。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 jfet 器件 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种高压JFET器件，在P型衬底中具有N型深阱，在剖视角度上,N型深阱之上为场氧，场氧两端分别为JFET的源区和漏区，场氧之上覆盖多晶硅场板；N型深阱中还具有P阱及P型注入层；其特征在于：所述N型深阱分为第一N型深阱及第二N型深阱两段，第一N型深阱中包含有JFET的源区、P型注入层及P阱，第二N型深阱中包含有JFET的漏区以及P型注入层；第一N型深阱和第二N型深阱相互独立，之间间隔一定距离。
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