[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201610269149.9 | 申请日： | 2016-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN106098772B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 姜明一;金伦楷;李炳赞 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括位于第一有源区上的第一图案、位于第二有源区上的第二图案以及位于第三有源区上的第三图案。第一图案以与第一有源区与第二有源区之间的第一凹进的宽度相对应的第一间隔从第二图案间隔开。第二图案以与第二有源区与第三有源区之间的第二凹进的宽度相对应的第二间隔从第三图案分隔开。第一图案、第二图案和第三图案包括栅极图案，第一凹进和第二凹进包括其导电类型不同于有源区的半导体材料。一个凹进中的半导体材料延伸高于另一凹进中的半导体材料。第一图案、第二图案和第三图案具有相同的宽度，第一凹进和第二凹进具有不同的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：在半导体衬底中限定有源区的隔离区，所述有源区包括多个突出部和多个凹进区；多个图案，其与所述有源区的多个突出部重叠，并且具有实质上相同的宽度；以及位于所述多个凹进区中的多个半导体结构，其中，所述多个凹进区包括位于奇数序列中的第一凹进区以及位于偶数序列中的第二凹进区，并且其中，第一凹进区与第二凹进区彼此邻近并且具有不同的深度。
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