[发明专利]高{001}晶面暴露比例的纳米级TiO2/碳气凝胶电极及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201610269761.6 | 申请日： | 2016-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN105836857B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 张亚男;李剑贇;赵国华 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C02F1/467 | 分类号： | C02F1/467;C02F1/46;C02F1/72;C02F1/58;C02F1/30;C02F1/469 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 林君如 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高{001}晶面暴露比例的纳米级TiO2/碳气凝胶电极及其制备方法和应用，制备方法以碳气凝胶为基底，在分散有高{001}晶面暴露比例的纳米级TiO2薄片和碘单质的丙酮溶液形成的电泳沉积液中，通过电泳沉积法制得高{001}晶面暴露比例的纳米级TiO2/碳气凝胶电极；制备得到的电极包括碳气凝胶基底，碳气凝胶基底表面及孔道内负载有高{001}晶面暴露比例的纳米级TiO2薄片；该电极可应用于光电催化氧化降解废水中的双酚A。与现有技术相比，本发明制得的电极具有兼备低阳极电势、提高光能利用率、具有高效催化氧化能力等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 001 暴露 比例 纳米 tio sub 凝胶 电极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种高{001}晶面暴露比例的纳米级TiO2/碳气凝胶电极的制备方法，其特征在于，该方法以碳气凝胶为基底，在分散有高{001}晶面暴露比例的纳米级TiO2薄片和碘单质的丙酮溶液形成的电泳沉积液中，通过电泳沉积法制得高{001}晶面暴露比例的纳米级TiO2/碳气凝胶电极，该电极包括碳气凝胶基底，碳气凝胶基底表面及孔道内负载有高{001}晶面暴露比例的纳米级TiO2薄片，所述的纳米级TiO2薄片为锐钛矿型纳米级TiO2薄片，{001}晶面的暴露比例为85～95％，高{001}晶面暴露比例的纳米级TiO2薄片为正方形薄片，底面边长为40～50nm，厚度为4～5nm，负载量为4～6mg·cm‑2；所述的电泳沉积法采用碳气凝胶作为阴极，钛板作为阳极，施加电压为10～15V，电泳沉积时间为10～30min。
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