[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置在审
| 申请号： | 201610269833.7 | 申请日： | 2016-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN107316855A | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 王冲;张海芳;刘煊杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法和电子装置。所述半导体器件包括第一晶圆；第二晶圆，位于所述第一晶圆的上方并与所述第一晶圆相接合；第一顶部金属层，位于所述第一晶圆中并与所述第一晶圆中的第一功能部件电连接；第二金属层，位于所述第二晶圆中且位于所述第一顶部金属层的上方，所述第二金属层与所述第二晶圆中的第二功能部件电连接；电连接结构，其中所述电连接结构贯穿所述第二晶圆和所述第二金属层并延伸至所述第一晶圆中的所述第一顶部金属层上，以使所述第二晶圆中的所述第二功能部件与所述第一晶圆中的第一功能部件电连接。所述结构可以形成一个电连接结构即可将所述第一晶圆和所述第二晶圆电连接，可以减小芯片的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：第一晶圆；第二晶圆，位于所述第一晶圆的上方并与所述第一晶圆相接合；第一顶部金属层，位于所述第一晶圆中并与所述第一晶圆中的第一功能部件电连接；第二金属层，位于所述第二晶圆中且位于所述第一顶部金属层的上方，所述第二金属层与所述第二晶圆中的第二功能部件电连接；电连接结构，其中所述电连接结构贯穿所述第二晶圆和所述第二金属层并延伸至所述第一晶圆中的所述第一顶部金属层上，以使所述第二晶圆中的所述第二功能部件与所述第一晶圆中的第一功能部件电连接。
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