[发明专利]电容式触控导线结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201610269846.4 | 申请日： | 2016-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN105930017A | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 黄亮;蒋蔚;陈凯;黄受林;黄海东 | 申请（专利权）人： | 深圳力合光电传感股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/044 | 分类号： | G06F3/044 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电容式触控导线结构的制备方法，包括以下步骤：准备玻璃基板；通过磁控溅射的方法在玻璃基板一板面上沉积出二氧化硅膜层；通过磁控溅射的方法在二氧化硅膜层上沉积出连接过渡层，连接过渡层是由第一金属材料制成的连接过渡层，所述第一金属材料为钼或钼镍合金；通过磁控溅射的方法在连接过渡层上沉积出用于与ITO薄膜导体层电连接的导电层，导电层为由纯铜制成的导电层；在导电层上渡用于防止导电层氧化的氧化保护层。本发明通过铜材制成的导电层降低了金属引线的线阻，再通过二氧化硅膜层与连接过渡层较好地附着在一起，从而避免金属引线从二氧化硅膜层脱落。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 式触控 导线 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种电容式触控导线结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：准备玻璃基板；通过磁控溅射的方法在所述玻璃基板一板面上沉积出二氧化硅膜层；通过磁控溅射的方法在所述二氧化硅膜层上沉积出连接过渡层，所述连接过渡层是由第一金属材料制成的连接过渡层，所述第一金属材料为钼或钼镍合金；通过磁控溅射的方法在所述连接过渡层上沉积出用于与ITO薄膜导体层电连接的导电层，所述导电层为由纯铜制成的导电层；在所述导电层上渡用于防止所述导电层氧化的氧化保护层。
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