[发明专利]一种基于铌酸锂的PM-QPSK集成光调制器及其工作方法有效
| 申请号： | 201610269999.9 | 申请日： | 2016-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN105700202B | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 季伟;尹锐;王军宝;公姿苏 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 王绪银 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于铌酸锂的PM‑QPSK集成光调制器及其工作方法。所述集成光调制器，包括上电极、下电极、衬底和铌酸锂晶体；铌酸锂晶体上按光路方向依次刻有偏振解复用器、两路并联的IQ调制器和偏振复用器；上电极和下电极分别设置在铌酸锂晶体上表面和衬底下面；所述偏振解复用器和偏振复用器分别为基于MZI的铌酸锂偏振解复用器和基于MZI的铌酸锂偏振复用器。本发明所述集成光调制器，基于铌酸锂的双折射效应制成铌酸锂偏振解复用器和偏振复用器，改变以往基于硅基制作偏振复用器的传统，将基于硅基的偏振解复用器和偏振复用器与IQ调制器集成于同一块晶体上；工艺容差远小于硅基工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 铌酸锂 pm qpsk 集成 调制器 及其 工作 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于铌酸锂的PM‑QPSK集成光调制器，其特征在于，包括上电极、下电极、衬底和铌酸锂晶体；铌酸锂晶体上按光路方向依次刻有偏振解复用器、两路并联的IQ调制器和偏振复用器；上电极和下电极分别设置在铌酸锂晶体上表面和衬底下面；所述偏振解复用器和偏振复用器分别为基于MZI的铌酸锂偏振解复用器和基于MZI的铌酸锂偏振复用器；偏振解复用器包括，通过两个不同长度波导臂连接的第一MMI结构和第二MMI结构，两个波导臂的光程差为π。
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