[发明专利]硫处理提高钙钛矿膜稳定性的方法有效
| 申请号： | 201610270202.7 | 申请日： | 2016-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN105932164B | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 赵一新;钱旭芳;张太阳;李戈;郭男杰;岳东亭;阚淼 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种硫处理提高钙钛矿膜稳定性的方法，通过采用含硫无机盐处理钙钛矿薄膜，在钙钛矿薄膜表面生成保护层提高薄膜的稳定性。具体包括如下步骤：将含硫离子溶液在一定的条件下涂覆到铅卤钙钛矿薄膜上，随后退火即可得到硫化铅包覆的钙钛矿薄膜。该方法可以显著提高钙钛矿薄膜的耐湿度稳定性，对其实际应用有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 提高 钙钛矿膜 稳定性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硫处理提高钙钛矿膜稳定性的方法，其特征在于，通过采用异丙醇作为溶剂的含硫无机盐溶液处理钙钛矿薄膜，在钙钛矿薄膜表面生成保护层提高薄膜的稳定性；所述钙钛矿薄膜为铅卤钙钛矿薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学，未经上海交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610270202.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种混合动力汽车用主动风冷散热电池箱
- 下一篇：一种紫外发光器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
