[发明专利]磷酸二氢钾类晶体的表面抛光方法

摘要

本发明涉及磷酸二氢钾类晶体的表面抛光方法。现有磷酸二氢钾类晶体的表面抛光技术存在的表面粗糙度高、给磷酸二氢钾类晶体表面带来损伤或杂质嵌入、磷酸二氢钾类晶体表面存在周期性刀痕波纹等问题。本发明在磷酸二氢钾类晶体表面旋涂一层平坦化层，使其表面粗糙度低于1.5nm，然后进行低温热处理一定时间，放入真空室，利用离子束抛光，直至完全去除表面平坦化层，使平坦化层的光滑表面传递到磷酸二氢钾类晶体表面，获得磷酸二氢钾类晶体的超光滑表面。该技术加工过程中无机械加工应力，抛光过程中材料去除量可以控制到原子量级，可达到很高的抛光效果。

主权项

磷酸二氢钾类晶体的表面抛光方法，其特征在于：由以下步骤实现：步骤一、在磷酸二氢钾类晶体样品表面旋涂一层平坦化层，经过平坦化技术处理后，样品的表面粗糙度低于1.5nm；步骤二、将平坦化处理后的磷酸二氢钾类晶体样品放置在真空热处理炉中，真空压强低于1Pa，热处理时间1‑5小时，热处理温度低于80℃，热处理结束后在真空室中自然冷却至室温，取出磷酸二氢钾类晶体样品；步骤三、将磷酸二氢钾类晶体样品固定在离子束刻蚀系统的夹具上，调整夹具与离子束入射之间的角度，范围为30°到60°；步骤四、利用真空系统将真空室压强抽到低于5×10‑4Pa的真空度，按比例通入刻蚀、反应的工作气体，包括氩气和氧气，其氧氩比范围为0:13.2到6:7.2，气体流量总量13.2sccm，调节真空控制阀，使真空室压强保持在2×10‑2Pa到8×10‑2Pa；步骤五、调节夹具的自转速度，控制在5r/min到30r/min范围内，使磷酸二氢钾类晶体样品与夹具一同自转，以消除离子束的不均匀性；步骤六、调节离子源放电工艺参数，使离子束对平坦化层和磷酸二氢钾类晶体材料具有相同的刻蚀速率；步骤七、打开磷酸二氢钾类晶体样品挡板，使离子束对其进行刻蚀抛光，直至完全去除平坦化层，将平坦化层的超光滑表面转移到磷酸二氢钾类晶体上；步骤八：等待2小时，待样品温度降至室温时，取出样品。