[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201610272100.9 | 申请日： | 2016-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN106098558B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊雄;陈科维 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 一种半导体结构包括半导体衬底、n‑型源极个漏极应力源和栅极堆叠件。半导体衬底具有位于半导体衬底中的源极和漏极凹槽。n‑型源极和漏极应力源分别存在于源极和漏极凹槽中。n‑型源极和漏极应力源的至少一个具有氢终止的表面。栅极堆叠件存在于半导体衬底中以及存在于n‑型源极和漏极应力源之间。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体结构的方法，所述方法包括：/n在半导体衬底上形成至少一个栅极堆叠件；/n在所述半导体衬底中形成至少一个凹槽；/n在工艺室中，通过第一温度下的沉积在所述凹槽中形成至少一个n-型应力源；以及/n在包括含氢气体的气氛中在高于所述第一温度的第二温度下热处理至少一个所述n-型应力源，/n在热处理至少一个所述n-型应力源之前，去除所述工艺室中的残余气体。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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