[发明专利]一种Nb‑Si‑Ti‑W‑Cr合金棒材及其制备方法

摘要

本发明提供了一种Nb‑Si‑Ti‑W‑Cr合金棒材，由以下质量百分比的成分组成Si 2.4％～6.7％，Ti 5％～25％，W 5％～15％，Cr 2％～8％，余量为Nb和不可避免的杂质。本发明还提供了一种制备该棒材的方法，包括以下步骤一、采用湿法球磨的方法将铌粉、硅粉、钛粉、钨粉和铬粉混合均匀，真空烘干后得到混合粉末；二、进行真空烧结，得到烧结体；三、电子束熔炼2～5次，得到铸锭；四、热挤压，得到半成品棒坯；五、热挤压，得到Nb‑Si‑Ti‑W‑Cr合金棒材。本发明Nb‑Si‑Ti‑W‑Cr合金棒材具有低密度以及良好的综合力学性能和抗氧化性能，能够在1400℃空气环境中使用。

主权项

一种Nb‑Si‑Ti‑W‑Cr合金棒材，其特征在于，由以下质量百分比的成分组成：Si 2.4％～6.7％，Ti 5％～25％，W 5％～15％，Cr 2％～8％，余量为Nb和不可避免的杂质；制备所述Nb‑Si‑Ti‑W‑Cr合金棒材的方法包括以下步骤：步骤一、采用湿法球磨的方法将铌粉、硅粉、钛粉、钨粉和铬粉混合均匀，真空烘干后得到混合粉末；步骤二、将步骤一中所述混合粉末压制成型，得到坯料，然后将所述坯料置于真空烧结炉中，在真空度不大于5×10‑1Pa，温度为1500℃～1600℃的条件下保温2h～3h进行烧结处理，随炉冷却后得到烧结体；步骤三、将步骤二中所述烧结体置于电子束熔炼炉中，在真空度不大于1×10‑2Pa的条件下电子束熔炼2～5次，自然冷却后进行扒皮处理，得到铸锭；所述电子束熔炼的电流为1A～3A，所述电子束熔炼的电压为60kV～80kV；步骤四、将步骤三中所述铸锭在温度为1200℃～1400℃，挤压比为5～7的条件下进行挤压，自然冷却后进行扒皮处理，得到半成品棒坯；步骤五、将步骤四中所述半成品棒坯在挤压温度为1100℃～1300℃，挤压比为4～6的条件下进行挤压，自然冷却后进行扒皮处理，得到Nb‑Si‑Ti‑W‑Cr合金棒材。