[发明专利]一种掺杂铬酸镧薄膜型热电偶及其制备方法有效
| 申请号： | 201610272878.X | 申请日： | 2016-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN105823569B | 公开（公告）日： | 2018-10-30 |
| 发明（设计）人： | 史鹏;任巍;刘丹;刘明;田边;蒋庄德 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01K7/02 | 分类号： | G01K7/02;C04B35/50 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掺杂铬酸镧薄膜型热电偶及其制备方法，目的在于，能够用于极端环境下的高温测量需求，所采用的技术方案为：一种掺杂铬酸镧薄膜型热电偶，包括设置在陶瓷基片上的两个热电极，两个热电极相互搭接，两个热电极的材料均采用铬酸镧薄膜，铬酸镧薄膜中掺杂有Mg、Ca、Sr、Ba、Co、Cu、Sm、Fe、Ni和V中的一种或几种掺杂元素，所述两个热电极采用的铬酸镧薄膜中掺杂有不同种掺杂元素，或者掺杂有含量不同的同种掺杂元素。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 铬酸镧 薄膜 热电偶 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掺杂铬酸镧薄膜型热电偶，其特征在于，包括设置在陶瓷基片上的两个热电极，两个热电极相互搭接，两个热电极的材料均采用铬酸镧薄膜，铬酸镧薄膜中掺杂有Mg、Ca、Sr、Ba、Co、Cu、Sm、Fe、Ni和V中的一种或几种掺杂元素，所述两个热电极采用的铬酸镧薄膜中掺杂有不同种掺杂元素，或者掺杂有含量不同的同种掺杂元素；所述铬酸镧薄膜中掺杂元素的含量为0‑40％；掺杂铬酸镧薄膜型热电偶的工作温度为1200℃‑1600℃。
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