[发明专利]具有改善性能的LED器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610273024.3 | 申请日： | 2016-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN107331736A | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 左朋;陈弘;贾海强;江洋;马紫光;王文新;乐艮;赵斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司11280 | 代理人： | 王勇,叶北琨 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造具有改善性能的LED器件的方法，包括1)准备未做表面钝化处理的LED芯片；2)在步骤1)所准备的LED芯片的表面沉积钝化层；3)在所述钝化层上涂覆光刻胶，然后在所涂覆的光刻胶上制作纳米点阵；4)将步骤3)所得的光刻胶作为掩膜，在所述钝化层刻蚀出纳米结构阵列，得到图形化的钝化层；5)在所述图形化的钝化层上刻蚀出孔洞以露出LED芯片的P电极区域与N电极区域，在所刻蚀出的孔洞中沉积相应的电极金属。本发明还提供了相应的LED器件。本发明能够同时显著提高LED芯片光提取效率和显著改善LED芯片电学性能，并增强LED的可靠性；制作方法简单实用，适于工业生产；与常规技术兼容；可以用于多种材料体系的LED。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改善 性能 led 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造具有改善性能的LED器件的方法，包括下列步骤：1)准备未做表面钝化处理的LED芯片；2)在步骤1)所准备的LED芯片的表面沉积钝化层；3)在所述钝化层上涂覆光刻胶，然后在所涂覆的光刻胶上制作纳米点阵；4)将步骤3)所得的光刻胶作为掩膜，在所述钝化层刻蚀出纳米结构阵列，得到图形化的钝化层；5)在所述图形化的钝化层上刻蚀出孔洞以露出LED芯片的P电极区域与N电极区域，在所刻蚀出的孔洞中沉积相应的电极金属。
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