[发明专利]高调制速度发光二极管及其调制方法和制造方法

摘要

本发明提供了一种高调制速度发光二极管及其调制方法和制造方法，所述发光二极管的PN结结区包含一个双量子阱结构，所述双量子阱结构包括一第一量子阱和一第二量子阱，所述第一量子阱的带隙大于所述第二量子阱的带隙，所述第一量子阱辐射信号光，所述第二量子阱辐射辅助光，通过量子隧穿效应，所述第一量子阱和所述第二量子阱相互耦合。本发明高调制速度的发光二极管通过载流子在能量空间的动态过程，实现了载流子的超快注入与超快抽离参与信号光辐射的能量区域，降低了发光二极管光信号的上升沿与下降沿所需的时间，进而提高了发光二极管的调制速度。

主权项

一种高调制速度发光二极管的调制方法，其特征在于：所述发光二极管的PN结结区包含一个双量子阱结构，所述双量子阱结构包括一第一量子阱和一第二量子阱，所述第一量子阱的带隙大于所述第二量子阱的带隙，所述第一量子阱辐射信号光，所述第二量子阱辐射辅助光，通过量子隧穿效应，所述第一量子阱和所述第二量子阱相互耦合；在所述发光二极管外部设置一信号源，所述信号源输出调制信号对所述发光二极管进行直接电调制，控制所述调制信号的开启电压大于所述第一量子阱和所述第二量子阱正常工作电压，控制所述调制信号的关断电压小于所述第一量子阱的正常工作电压，但大于所述第二量子阱的正常工作电压，通过所述调制信号在开启电压与关断电压之间的切换实现所述第一量子阱处的载流子浓度快速上升和快速降低，从而实现所述发光二极管的高速度调制。