[发明专利]一种具有倒梯形圆台体的微米线发光二极管制作方法有效

专利信息
申请号: 201610273774.0 申请日: 2016-04-28
公开(公告)号: CN105789421B 公开(公告)日: 2018-01-26
发明(设计)人: 林志伟;陈凯轩;张永;卓祥景;姜伟;方天足;陈亮 申请(专利权)人: 厦门乾照光电股份有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L33/58
代理公司: 厦门市新华专利商标代理有限公司35203 代理人: 廖吉保,唐绍烈
地址: 361000 福建省厦门市*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开一种具有倒梯形圆台体的微米线发光二极管制作方法,在衬底上依次外延缓冲层、非故意掺杂层和第一型导电层;在第一型导电层上沉积微米孔洞制作层;在微米孔洞制作层上形成上宽下窄的倒梯形微米孔洞;在孔洞内依次形成第一型导电层、有源区、电子阻挡层和第二型导电层;在微米孔洞制作层上表面形成第二型导电层,在第二型导电层上形成欧姆接触层;在欧姆接触层上蒸镀导电层;依次腐蚀部分导电层、欧姆接触层、第二型导电层、微米孔洞制作层,裸露部分第一型导电层;在第一型导电层上形成第一电极制作区,第一电极制作区形成第一电极,在导电层上形成第二电极。本发明可以多维度提高二极管发光效率,且制作工艺简单。
搜索关键词: 一种 具有 梯形 圆台 微米 发光二极管 制作方法
【主权项】:
一种具有倒梯形圆台体的微米线发光二极管制作方法,其特征在于:包括以下步骤:一,在衬底上依次外延缓冲层、非故意掺杂层和第一部分第一型导电层;二,在第一部分第一型导电层上沉积微米孔洞制作层;三,采用包括掩膜、光刻、ICP蚀刻工艺在微米孔洞制作层上形成上宽下窄的倒梯形微米孔洞;四,采用二次外延在孔洞内依次形成第二部分第一型导电层、有源区、电子阻挡层和第一部分第二型导电层,第二部分第一型导电层与第一部分第一型导电层连接;在微米孔洞制作层上表面形成第二部分第二型导电层与第一部分第二型导电层连接,在第二部分第二型导电层上形成欧姆接触层;五,在欧姆接触层上蒸镀导电层;六,依次腐蚀部分导电层、欧姆接触层、第二部分第二型导电层、微米孔洞制作层,裸露部分第一部分第一型导电层;七,采用掩膜、光刻、ICP蚀刻在第一部分第一型导电层上形成第一电极制作区,第一电极制作区形成第一电极,在导电层上形成第二电极。
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