[发明专利]一种不易发生翘曲的大尺寸发光二极管外延片有效
| 申请号： | 201610273818.X | 申请日： | 2016-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN105870279B | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;陈凯轩;张永;汪洋;卓祥景;姜伟;童吉楚;方天足 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种不易发生翘曲的大尺寸发光二极管外延片，衬底上生长AlN缓冲层，AlN缓冲层上生长复合缓冲层，复合缓冲层上生长非故意掺杂层，非故意掺杂层上生长第一型导电层，第一型导电层上生长有源层，有源层上生长第二型导电层，第二型导电层上生长欧姆接触层；复合缓冲层由GaN缓冲层和多层缓冲层构成，GaN缓冲层生长在AlN缓冲层上，多层缓冲层生长在GaN缓冲层上，多层缓冲层包括GaInN/GaN/AlGaN。本发明解决采用大尺寸衬底生长外延片过程中因温度变化导致翘曲变大而引起外延表面异常及电性能异常问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 不易 发生 尺寸 发光二极管 外延 | ||
【主权项】：
1.一种不易发生翘曲的大尺寸发光二极管外延片，其特征在于：衬底上生长AlN缓冲层，AlN缓冲层上生长复合缓冲层，复合缓冲层上生长非故意掺杂层，非故意掺杂层上生长第一型导电层，第一型导电层上生长有源层，有源层上生长第二型导电层，第二型导电层上生长欧姆接触层；复合缓冲层由GaN缓冲层和多层缓冲层构成，GaN缓冲层生长在AlN缓冲层上，多层缓冲层生长在GaN缓冲层上，多层缓冲层包括GaInN/GaN/AlGaN、AlGaN/GaN/GaInN、GaInN/GaN超晶格结构/AlGaN、GaInN/GaN/AlGaN超晶格结构或AlGaN/GaN/GaInN超晶格结构；其中，在所述第二型导电层与欧姆接触层之间生长电子阻挡层。
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