[发明专利]用于太赫兹波的硅基悬置微带线结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201610273865.4 | 申请日： | 2016-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN105896013A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 杨林安;王少波;杜林;李杨 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01P3/08 | 分类号： | H01P3/08;H01P11/00 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基悬置微带线结构及其制作方法，主要解决现有技术中太赫兹波传输损耗大以及太赫兹悬置微带线加工精度低的问题。该悬置微带线结构包括悬置的微带线(1),硅基片(4)，空气腔(5)以及金属地板层(6)其中硅片(4)，包括上硅基片(41)和下硅基片(42)；金属地板层(6)位于上硅基片(41)与下硅基片(42)之间；微带线(1)制备在苯并环丁烯(BCB)光刻胶层(2)上，该BCB光刻胶层(2)与上硅基片(41)之间生长有氮化硅层(3)；空气腔(5)刻蚀在上硅基片(41)之中,并处于微带线(1)的正下方。本发明具有低损耗，结构简单，易于加工的优点，可用于太赫兹波段的有源和无源电路。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 赫兹 悬置 微带 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种用于太赫兹波的硅基悬置微带线结构，包括悬置的微带线(1),硅基片(4)，空气腔(5)以及金属地板层(6)其特征在于：所述硅片(4)，包括上硅基片(41)和下硅基片(42)；所述金属地板层(6),位于上硅基片(41)与下硅基片(42)之间；所述微带线(1),制备在苯并环丁烯(BCB)光刻胶层(2)上，该BCB光刻胶层(2)与上硅基片(41)之间生长有氮化硅层(3)；所述空气腔(5)刻蚀在上硅基片(41)之中,并处于微带线(1)的正下方。
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