[发明专利]一种MOSFET及其制备方法在审
| 申请号： | 201610273984.X | 申请日： | 2016-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN105870172A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 高盼盼;代萌 | 申请（专利权）人： | 上海格瑞宝电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国商标专利事务所有限公司 11234 | 代理人： | 王瑞 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOSFET,包括漏极、源极和栅极，且所述漏极、源极和栅极设于同侧。本发明还公开了一种MOSFET的制备方法，包括以下步骤：在掩蔽层的掩蔽下对外延层进行沟槽刻蚀，形成沟槽；栅氧生长和多晶硅栅淀积；多晶硅栅刻蚀和沟道注入区光刻和注入、退火、源区光刻和注入；进行漏区通孔光刻：进行漏区通孔刻蚀，并淀积通孔隔离介质；保留漏区通孔侧壁上的隔离介质：进行引出孔光刻，刻蚀：淀积第一金属层，填充源极引出孔和漏极引出孔及栅极引出孔；对第一金属层进行化学机械抛光；淀积第二金属，光刻，刻蚀；钝化层淀积及引出孔光刻、刻蚀。本发明将漏端从芯片背面引到芯片正面，从而满足在芯片正面打线接触的封装要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种MOSFET,其特征在于，包括漏极、源极和栅极，且所述漏极、源极和栅极设于同侧。
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